通过改变含氮量，铟镓砷氮量子井为协调放射波长提供了一简单途径。然而，其对被需要为光覆层创造高折射率的铝元素非常敏感。铟镓砷氮铝图层中包含的光学腐蚀及表面粗糙度因门限电流较低而阻碍了激光二极管性能的改善。

　　铟镓砷氮（InGaAsN）主要用作量子井，周围被砷化镓覆盖。铟镓砷氮 (InGaAsN)属四元半导体化合物，是新一代半导体长波长光电子材料，是制备光通讯、光互联等多种用途新一代光电子器件的理想材料。将比现有的商用磷化铟基材料和器件的成本更低、性能更稳定，更有利于制备规模化半导体单片光子、光电子功能集成器件，市场应用前景广阔。随着互联网等信息产业的飞速发展，高速、大容量光纤通讯网络的市场需求逐年成倍增长，发展适于光通讯波段的砷化镓基新一代半导体材料和光子集成器件已经成为国际学术界和产业界研发的热点。镓铟氮砷/镓砷量子阱长波长探测器和激光器材料制备技术难度很大，是近年来欧、美、日等发达国家的研究重点，竞争非常激烈。

免责声明：上文仅代表作者或发布者观点，与本站无关。本站并无义务对其原创性及内容加以证实。对本文全部或者部分内容(文字或图片)的真实性、完整性本站不作任何保证或承诺，请读者参考时自行核实相关内容。本站制作、转载、同意会员发布上述内容仅出于传递更多信息之目的，但不表明本站认可、同意或赞同其观点。上述内容仅供参考，不构成投资决策之建议；投资者据此操作，风险自担。如对上述内容有任何异议，请联系相关作者或与本站站长联系，本站将尽可能协助处理有关事宜。谢谢访问与合作！  中钨在线采集制作.