NUS研究出提高二硒化钨光致发光效率方法

新加坡国立大学（NUS）领导的研究小组已经开发出一种提高二维半导体二硒化钨光致发光效率的方法，为先进的光电子和光子器件等半导体的应用铺平了道路。研究团队由NUS理学院物理系Andrew Wee教授带领，将二硒化钨添加到带有沟槽的金基板上，提高纳米材料的光致发光率达20000倍。这一技术突破为二硒化钨这一新型半导体材料的先进应用创造了新机遇。

这项工作的关键是金电浆纳米阵列模板的设计。在系统中，通过改变泵浦激光器的结构间距，利用不同激光波长调谐共振达到匹配。实现以实现最佳的场约束光等离子体激元耦合。这是首次证明金电浆纳米结构能够提高二硒化钨光致发光效率的工作。

二硒化钨是一种单分子厚的半导体，是一个新兴的过渡金属硫化物（TMDCs）材料，它能将实现光电互转换，使他们成为光电器件如薄膜太阳能电池、光电探测器柔性逻辑电路和传感器的有实力的潜在候选人。然而，其原子薄的结构降低了其吸收光谱和光致发光性能，从而限制了其实际应用。