6月26日，爱思强宣布台湾中兴大学向其订购一套3x2英寸芯片规格的近耦合喷淋头®(CCS) MOCVD系统。

据悉，中兴大学将利用CCS系统进行在硅芯片上异质外延生长氮化镓(“硅基氮化镓”)技术的研发。自2001年以来，中兴大学研发团队已成功开发多项独特的氮化镓和磷化铝镓铟LED技术。如今，这个涵盖外延生长到设备加工与包装的综合实验室已经成为台湾领先的研发中心之一。

中兴大学材料科学与工程系的武教授评论说：“爱思强的近耦合喷淋头®系统是研究硅基氮化镓的完美选择。中兴大学精密工程研究所的洪教授补充说：“这套反应器具有适应广泛、操作简易的特点，且可实现我们所需要的一系列参数的可复制性，将为我们生产高质量的硅基氮化镓外延片和其他新结构提供一臂之力。”

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