目前，世界集成电路的产值近3000亿美元，全球硅单晶的年产量已超过1万吨，以12英寸为主流产品，2009年已占硅片产量的56%；直径为18英寸的硅片将在2014年开始商业应用，现已有样片试用；更大尺寸(27英寸)的硅片也在筹划中。
    我国硅单晶产量大约为3000吨，约为世界总产量的25%，但多为8英寸以下晶体。原料IC级多晶硅全部依赖进口，太阳能级多晶硅原料也存在产量上的不 足， 09年多晶硅缺口仍达45%。国内集成电路所用材料的主流仍然为8英寸硅片，市场需求量呈不断增长趋势。随着国家电网、高速铁路、大型水利工程等一大批项 目的开工，高电压、大功率集成电路区熔硅材料的需求不断增加，主要体现在4英寸～6英寸区熔硅片上。
    在上述广阔市场的带动下，国内各相关企业纷纷对大直径硅单晶(8英寸～12英寸)进行了深入研究和快速产业化，力争满足市场需求。其中，天津市环欧半导体 材料技术有限公司区熔硅年产量为50余吨，其技术和产量位居全球第三，是国内最大的区熔硅材料专业制造企业。目前正开发直拉6英寸、8英寸重掺衬底片及扩 大大功率器件所需区熔硅片的生产规模。
    从提高硅集成电路的性能价格比来看，增大直拉硅单晶的直径，仍是今后硅单晶发展的大趋势。预计2014年后，18英寸的直拉硅单晶将投入生产。从进一步缩 小器件的特征尺寸，提高硅IC的速度和集成度来看，研制适合于硅纳米工艺技术所需的高纯、大直径和无缺陷硅外延片(包括SOI和应变硅等)会成为硅材料发 展的主流。

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